Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E
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Descripción
Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E
Transistor NPN epitaxial de silicio altamente eficiente para aplicaciones de amplificación de señal en radiofrecuencia.
Características principales
- Frecuencia de operación hasta 27 MHz
- Soporta voltaje máximo de 12 Vcc
- Potencia de salida disponible de 13 watts
Compatibilidad
- Reemplazo directo para el modelo 2SC1945
Especificaciones
- Transistor NPN epitaxial de silicio altamente eficiente
- Frecuencia de operación hasta 27 MHz
- Soporta voltaje máximo de 12 Vcc
- Potencia de salida de 13 watts
- Reemplazo directo para modelo 2SC1945
- Encapsulado T-30E para disipación térmica optimizada